| 特點(diǎn) | 優(yōu)勢 |
| 測量電阻范圍為 10n? 至 100M? | 測量范圍非常廣，專門用于超低電阻測量，以檢定高導(dǎo)電性材料、納米材料和超導(dǎo)材料。 |
| 同步的電流脈沖源，測量時間短至 50μs | 限制元器件（如納米器件和納米材料）中的功耗，如果以非常低的功率電平進(jìn)行測試，這些元器件很容易損壞。 |
| 增量模式電流反向、電阻測量技術(shù) | 通過消除熱偏移影響以及將讀數(shù)噪聲降低到 30nV p-p 噪聲（典型值），進(jìn)行精確的超低電阻測量。可以對多個讀數(shù)進(jìn)行平均，以更大程度地降低噪聲。 |
| 微分電導(dǎo)測量 | 比其他電導(dǎo)測量技術(shù)的速度快十倍，噪聲更小。無需平均多次掃描的結(jié)果，即可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的測量。 |
| 納伏表和電流源接口無縫配合 | 在進(jìn)行電導(dǎo)與電阻測量時，兩臺儀器可以像一臺儀器一樣運(yùn)行。 |
| 增量、微分電導(dǎo)和脈沖模式產(chǎn)生最小的電流瞬變 | 可以檢定可易被電流尖峰損壞的設(shè)備。 |
