多通道絕緣電阻測試設備
了解更多設備簡介1．產(chǎn)品位置糾偏抓取，自動識別正反;2.自動測試，良品/不良品分類;3.換產(chǎn)只需更換對應的工裝;4．儀器功能可拓展;5．絕緣電阻≥1X109/Q,DC500V;
IGCT自動測試系統(tǒng)
了解更多設備簡介IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶閘管技術的基礎上結(jié)合IGBT和GTO等技術開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。
功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)(實驗室)
了解更多KC3110功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進行的一次高標準產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實現(xiàn)精確測量和參數(shù)分析，漏電流測試分辨率高達fA級，電壓測試分阱率最高可這nV級，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動程控軟件，圖型化上位機操作界面。內(nèi)置開關切換矩陣保證測試效率。模塊化結(jié)構設計預留升級擴展?jié)撃?。測試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。
功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
了解更多設備簡介KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。通過更換不同的測試單元以達到對應測試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結(jié)果。
功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)(生產(chǎn)端)
了解更多設備簡介KC3111功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)（面向工廠生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進行的一次高標準產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號源輸出方面，高壓源標配2000V（選配3.5KV）,高流源標配1KA（選配4KA多模塊并聯(lián)）,柵極電壓30V。采用多量程設計架構，各量程下均可保證0.1%精度，具有uΩ級精確測量，pA 級漏電流測量能力。全自動程控軟件，圖型化上位機操作界面。內(nèi)置開關切換矩陣保證測試效率。模塊化結(jié)構設計預留升級擴展?jié)撃?。測試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。
第三代功率半導體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
了解更多KC-3105 測試系統(tǒng)中可同時完成HTRB和DHTRB測試，整體架構模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標準，便于后期擴展和維護。該系統(tǒng)集成度高、應用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設計且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時，可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。
