金凱博功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)KC-3110
了解更多金凱博功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)KC-3110,基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進行的一次高標準產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實現(xiàn)精確測量和參數(shù)分析,漏電流測試分辨率高達fA級,電壓測試分阱率最高可這nV級,以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動程控軟件,圖型化上位機操作界面。內(nèi)置開關(guān)切換矩陣保證測試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計預(yù)留升級擴展?jié)撃?。測試接口可外掛各類夾具和適配器,還能夠通過專用接口連接各種Handler:如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。
功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
了解更多設(shè)備簡介KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試,如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。通過更換不同的測試單元以達到對應(yīng)測試內(nèi)容,通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結(jié)果。
金凱博KC- 3130 功率循環(huán)&熱特性智能檢測系統(tǒng)IV曲線&曲線圖示儀
了解更多金凱博KC- 3130 功率循環(huán)&熱特性智能檢測系統(tǒng)主要用于 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET /BJT/SCR 等器件的秒級功率循環(huán)(PCsec)、分鐘級功率循環(huán)(PCmin)、熱阻(抗)測試(Rth/Zth)和 K 曲線測試(TSP-Vpn)。整體架構(gòu)模塊化,通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標準,便于后期擴展和維護。在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時,可快速滿足功率半導體可靠性測試需求。
功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)(生產(chǎn)端)
了解更多設(shè)備簡介KC3111功率半導體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)(面向工廠生產(chǎn)端),基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進行的一次高標準產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號源輸出方面,高壓源標配2000V(選配3.5KV),高流源標配1KA(選配4KA多模塊并聯(lián)),柵極電壓30V。采用多量程設(shè)計架構(gòu),各量程下均可保證0.1%精度,具有uΩ級精確測量,pA 級漏電流測量能力。全自動程控軟件,圖型化上位機操作界面。內(nèi)置開關(guān)切換矩陣保證測試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計預(yù)留升級擴展?jié)撃堋y試接口可外掛各類夾具和適配器,還能夠通過專用接口連接各種Handler:如分選機、機械手、探針臺、編帶機等。
第三代功率半導體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
了解更多KC-3105 測試系統(tǒng)中可同時完成HTRB和DHTRB測試,整體架構(gòu)模塊化,通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標準,便于后期擴展和維護。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣,系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計且功能豐富,在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時,可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。